Characterization method for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Characterization method for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping

著者名: Shih Hong-An(北陸先端科学技術大学院大学),工藤 昌宏(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Hong-An Shih(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Masahiro Kudo(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology)

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 2,488 Kバイト