ウェハ接合技術を用いたInP系DHBT作製プロセス及びその放熱性改善効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Fabrication of InP-based DHBTs with wafer bonding technology for heat dissipation improvement

著者名: 白鳥 悠太(日本電信電話),星 拓也(日本電信電話),柏尾 典秀(日本電信電話),栗島 賢二(日本電信電話),日暮 栄治(東京大学),松崎 秀昭(日本電信電話)

著者名(英語): Yuta Shiratori(NTT Corporation ),Takuya Hoshi(NTT Corporation ),Norihide Kashio(NTT Corporation ),Kenji Kurishima(NTT Corporation ),Eiji Higurashi(University of Tokyo),Hideaki Matsuzaki(NTT Corporation )

キーワード: インジウムリン|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|熱抵抗|ウェハ接合|InP|Heterojunction bipolar transistor|Thermal resistance|Wafer bonding

要約(日本語): InP系HBTの高速化と信頼性を両立する上で、素子放熱性の改善が課題である。本発表では、ウェハ接合技術を用いて熱伝導率が高い放熱基板上にHBTを形成することで放熱性の向上を試みた結果を報告する。HBTエピ層を放熱基板に転写した後に素子部を形成する手法を用いることで、試作した0.25 umエミッタHBTでは顕著な素子特性劣化なく、最大28％放熱性が向上することを確認した。

要約(英語): Improving heat dissipation of InP-based HBTs is an important issue for a balance between increasing their operation speed and reliability. For this problem, we fabricated InP-based HBTs on highly thermal conductive substrates by using wafer bonding technology. Fabricated 0.25-micron-emitter HBTs demonstrated decreasing their thermal resistance of up to 28 % without significant degradation of their electrical characteristics.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,357 Kバイト