InP系DHBTの低駆動電圧化・超高速化に向けたInGaAsSb四元混晶のMOCVD成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): MOCVD growth of InGaAsSb for high-speed InP-based DHBTs with low-turn-on voltage

著者名: 星 拓也(日本電信電話),柏尾 典秀(日本電信電話),杉山 弘樹(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),栗島 賢二(日本電信電話),井田 実(日本電信電話),松崎 秀昭(日本電信電話)

著者名(英語): Takuya Hoshi(NTT Corporation),Norihide Kashio(NTT Corporation),Hiroki Sugiyama(NTT Corporation),Haruki Yokoyama(NTT Corporation),Kenji Kurishima(NTT Corporation),Minoru Ida(NTT Corporation),Hideaki Matsuzaki(NTT Corporation)

キーワード: インジウムガリウムヒ素アンチモン|有機金属化学気相堆積|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|ターン・オン電圧|組成傾斜ベース|InGaAsSb|MOCVD|HBT|Turn-on voltage|compositionally-graded base

要約(日本語): InP系DHBTを低駆動電圧化かつ超高速化すべくInGaAsSbのMOCVD成長について報告する。固相組成制御のための熱力学計算技術を確立し、これを応用して、低温成長による高いIn組成と高正孔濃度化を両立した。その結果、InP系DHBTとしては世界最高水準の低駆動電圧化を実現した。さらに、簡便かつ効果的な組成傾斜InGaAsSbベース形成手法であるCBr4流量変調法を提案し、その組成制御性における優位性と、電流利得遮断周波数の向上効果を実証した。

要約(英語): We investigated the MOCVD growth of InGaAsSb quaternary for high-speed InP-based DHBTs with low-turn-on voltage. We obtained high In content C-doped InGaAsSb with high hole concentration by lowering the growth temperature. Fabricated DHBT with 0.25-um-emitter exhibits very low turn-on voltage. We also demonstrated high-fT DHBT with compositionally-graded InGaAsSb base formed by CBr4-flow modulation method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,106 Kバイト