GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Improvement of Off-State Characteristics with a P-Type Capping Layer in GaAs JPHEMT

著者名: 竹内 克彦(ソニー),谷口 理(ソニー),柳田 将志(ソニー),中村 光宏(ソニーセミコンダクタ),佐々木 有司(ソニーセミコンダクタ),和田 伸一(ソニー)

著者名(英語): Katsuhiko Takeuchi(Sony Corporation),Satoshi Taniguchi(Sony Corporation),Masashi Yanagita(Sony Corporation),Mitsuhiro Nakamura(Sony Semiconductor Corporation),Yuji Sasaki(Sony Semiconductor Corporation),Shinichi Wada(Sony Corporation)

キーワード: ＪＰＨＥＭＴ|ＲＦスイッチ|Ｒｏｎ＊Ｃｏｆｆ積|高調波歪特性|パワーハンドリング能力|JPHEMT|RF switch|Ron*Coff product|harmonic distortion|power handling capability

要約(日本語): 低い挿入損失と良好な高調波歪特性により, Junction Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (JPHEMT)は, 無線通信用RFスイッチとして幅広く使用されている. 本論文では,ゲート-ソース/ドレイン間にp-type cap層を形成したJPHEMTを提案する. 試作評価を行った結果, RFスイッチの性能指標となるRon*Coff積の大幅な低減が示された.

要約(英語): Due to its low insertion loss and the high linearity, the JPHEMT is widely used for RF switches. In this paper, we describe a JPHEMT with a p-type capping layer from the gate to source/drain regions. The obtained Ron*Coff product is very favorable compared with other RF switches.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 828 Kバイト