高負電圧サージ耐量を実現する新しいHVIC構造

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15064,SPC15146

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): A New Concept of HVICs for High Negative Surge Immunity

著者名: 上西 顕寛(富士電機),菅野 博(富士電機),赤羽 正志(富士電機),山路 将晴(富士電機),田中 貴英(富士電機),栩内 規行(富士電機),澄田 仁志(富士電機)

著者名(英語): Akihiro Jonishi(Fuji Electric Co., Ltd.),Hiroshi Kanno(Fuji Electric Co., Ltd.),Masashi Akahane(Fuji Electric Co., Ltd.),Masaharu Yamaji(Fuji Electric Co., Ltd.),Takahide Tanaka(Fuji Electric Co., Ltd),Noriyuki Tochinai(Fuji Electric Co., Ltd),Hitoshi Sumida(Fuji Electric Co., Ltd)

キーワード: ＨＶＩＣ|高耐圧ＩＣ|１２００Ｖ|ゲートドライバ|負電圧サージ|分離構造|HVIC|high voltage IC|1200V|gate driver|negative voltage surge|isolation structure

要約(日本語): 誘電体分離を用いることなく高い負電圧サージ耐量を実現する新しいHVIC構造を考案した。その基本構造は、基板電位をグラウンド電位と分離することによりサージ電流を防止する構造である。新構造を採用した1200V耐圧クラスのHVICを試作し、評価を行った。新しいHVICは、従来と比較して10倍以上の高い負電圧サージ耐量を示した。

要約(英語): A new technology concept of HVICs which realizes high negative surge immunity without dielectric isolation has been proposed. The basic concept is to isolate a substrate from the ground level to block the surge current. A new 1200V-class HVIC based on the new concept has shown more than 10x higher negative surge immunity.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,440 Kバイト