超音波診断装置高電圧パルス送信IC向けLDMOSFET技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15065,SPC15147

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): An Advanced LDMOSFET Technology for an Ultrasound High-Voltage Pulse Transmitter IC

著者名: 三好 智之(日立製作所),和田 真一郎(日立製作所),篠宮 敏夫(日立製作所),上野 聡(日立製作所)

著者名(英語): Miyoshi Tomoyuki (Hitachi Ltd.),Wada Shinichiro(Hitachi Ltd.),Shinomiya Toshio(Hitachi Ltd.),Ueno Satoshi(Hitachi Ltd.)

キーワード: 横型拡散ＭＯＳＦＥＴ|オン抵抗|耐圧|超音波診断装置|高電圧パルス送信|集積回路|LDMOSFET|On resistance|Breakdown voltage|Ultrasound|High-voltage pulse transmitter|IC

要約(日本語): 超音波診断装置の高性能化に向け、振動子を駆動する±100V送信パルスを生成するLDMOSFET技術を開発した。RESURF効果を高めるため、多段インプラプロセスによるマルチP/P-ドリフト層を有する新型構造を設計し、260 V/3079 ohm･mm2　の高密度オン抵抗と、Nチャネルと対象な出力性能を有する新型PチャネルLDMOSFETを構築した。さらに、ゲートプレートを最適化することで、高温・高電圧ストレス(HTRB)によるLOCOS/Si界面の電子トラップを抑制し、高信頼構造を実現した。

要約(英語): A novel +/-100-V p-channel LDMOS FET technology was developed for a pulse transmitter IC for an ultrasound application. With a design of multi-P/P- drift structure for higher RESURF effect, 260 V/3079 ohm･mm2 of BVoff/Ron,sp and a symmetrical shape of ID-VDS curve to the n-channel could be achieved. By an optimization of gate structure for higher tolerability against electron traps at the LOCOS/Si interface, reliable performances against the high-temperature reverse bias stress (HTRB) could be obtained.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,378 Kバイト