高信頼性Nch-LDMOSの提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15066,SPC15148

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): A Proposal of High Reliability Nch-LDMOS

著者名: 松田 順一(群馬大学),神山 雅貴(群馬大学),築地 伸和(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)

著者名(英語): Jun-ichi Matsuda(Gunma University),Masataka Kamiyama(Gunma University),Nobukazu Tsukiji(Gunma University),Haruo Kobayashi(Gunma University)

キーワード: 横方向二重拡散ＭＯＳ|信頼性|ホットキャリア|静電破壊|電流増大|カーク効果|LDMOS|reliability|hot carrier|ESD|current expansion|Kirk effect

要約(日本語): 高信頼を目指した0.35μmプロセス30-50V 用途のデュアルRESERF構造のNch-LDMOSを提案する。本構造のLDMOSのドリフト端界面でのインパクトイオン化による正孔電流密度は、従来構造のLDMOSに比べて1/16（VDS=40V, VGS=5V）になっていることをデバイス・シミュレーションで確認できた。また、本構造のLDMOSではKirk効果による電流増大を十分に抑えることができた。

要約(英語): This paper proposes 0.35-micron process dual RESURF Nch-LDMOS to enhance reliability for 30-50V application. Hole current density by impact ionization at the drift edge surface for this LDMOS is 1/16 of that for a conventional LDMOS at VDS=40V, VGS=5V by simulation. The dual RESURF Nch-LDMOS adequately suppresses current expansion by Kirk effect.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,936 Kバイト