GaN Gate-Injection-Transistorを適用した非接触給電ZVS共振形DC-DCコンバータの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15069,SPC15151

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): A Study on GaN Gate Injection Transistor-applied Zero Voltage Soft-Switching Resonant DC-DC Converter for Inductive Power Transfer

著者名: 三島 智和(神戸大学),森田 栄太郎(神戸大学)

著者名(英語): Tomokazu Mishima(Kobe University),Eitaro Morita(Kobe University)

キーワード: 共振形コンバータ|非接触給電応用|ＧａＮパワーデバイス|ソフトスイッチング|高周波スイッチング|高効率化|Resonant dc-dc converter |Inductive power transfer application|GaN power devices|Soft switching |High frequency switching|High efficiency

要約(日本語): 自動車用・無人搬送車両バッテリチャージャーとして有効な電磁誘導方式非接触給電(IPT)用電力変換回路のさらなる高効率化，高性能化を目指した研究開発が活発化している。本稿では，高速かつ低オン抵抗特性を持ち，シングルチップにてノーマリーオフが可能なGaN-GITを適用したIPT共振形DC-DCコンバータを新たに検討する。広範囲なZVS動作や低ノイズ特性など，その有用性について実験評価から明らかにした結果を報告する。

要約(英語): This paper presents a novel prototype of a resonant dc-dc converter with Gallium Nitride gate injection transistor (GaN-GIT) for inductive power transfer systems. The excellent performances such as a high-effiency, low switching noises and normally-off operation are originally demonstrated by experiment of 1-kW prototype, and its feasibility is discussed from a practical point of view.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,515 Kバイト