SiC MOSFETのスイッチング動作に与える寄生インダクタの影響の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15082,SPC15164

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Impact of parasitic inductors on switching operation of SiC MOSFET

著者名: 古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): jun furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|ダブルパルス法|寄生インダクタ|SiC MOSFET|double pulse|parasitic inductor

要約(日本語): 近年、SiCを用いた低オン抵抗かつ低入力容量なパワー素子が開発されている。一方でSiCパワー素子では高速スイッチング動作に起因するノイズの増加や誤点弧などの誤動作の問題がある。_x000D_ 本稿ではSiC MOSFETのスイッチング動作をダブルパルス法で測定し、配線に寄生するインダクタの影響を評価した結果を報告する。

要約(英語): Recently, SiC power devices are developed, which achieve low on-resistance and small input capacitance._x000D_ However, SiC power devices may cause noise and erroneous ignition problems because of their fast switching operation._x000D_ In this paper, we measure switching operation on a SiC MOSFET and evaluate impact of parasitic inductors._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,161 Kバイト