電荷基準モデルに基づく縦型SiCパワーMOSFETのトランジスタモデル

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15083,SPC15165

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): A charge-based transistor model for SiC power VDMOSFET

著者名: 周 瑞(京都大学),新谷 道広(京都大学),廣本 正之(京都大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Rui Zhou(kyoto university),Michihiro Shintani(kyoto university),Masayuki Hiromoto(kyoto university),Takashi Sato(kyoto university)

キーワード: ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ|モデル化|過渡解析|SiC Power MOSFET|modelling|Transient Analysis

要約(日本語): MOSFETを用いた電力変換回路設計では，MOSFET の振舞いを正確に模擬したデバイスモデルを用いて回路シミュレーションを行い，回路を最適化する必要がある．本稿では，チャネル反転電荷の挙動を表現する電荷基準モデルに基づいたSiC VDMOSFETのトランジスタモデルを提案する．市販SiCパワーMOSFETを用いたモデル検証により，電流特性，容量特性，過渡特性がいずれも精度よくモデル化できていることを示す．

要約(英語): Accurate transistor model is the key component in designing efficient power converters. Its importance is increasing as the operating frequency of the converters become higher. A transistor model that accurately and compactly represents physical device behavior is required. In this paper, we propose a charge-based transistor model that includes parasitic resistances of vertical diffused SiC power MOSFET. Through experiments using a commercial device, good agreement has been observed between measurement and simulation in I-V, C-V, and transient characteristics.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,525 Kバイト