パワートランジスタの大電力領域における静特性・動特性の測定及び考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15084,SPC15166

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): A Study on Measurement for Static and Dynamic Characteristics of Power Transistors in High Power Region

著者名: 中村 洋平(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Yohei Nakamura(Graduate School of Kyoto University),Takashi Hikihara(Graduate School of Kyoto University)

キーワード: ワイドバンドギャップ半導体|パワートランジスタ|静特性|動特性|測定システム|Wide Bandgap Semiconductor|Power Transistor|Static Characteristic|Dynamic Characteristic|Measurement System

要約(日本語): 試作したI-Vカーブトレーサにより, パワートランジスタの大電力領域の測定及び考察を行った. カーブトレーサの測定対象は, Si-MOSFET, SiC-MOSFET及びSiC-JFETである. 今回試作したカーブトレーサにより, パワートランジスタの大電力領域の特性を明らかにした. これにより, 電力変換回路内におけるパワートランジスタの詳細な動作解析が可能となることが期待できる.

要約(英語): High power I-V curve tracer is developed for measuring characteristics of power devices. Targeting devices are Si-MOSFET, SiC-MOSFET, and SiC-JFET. As results, high power I-V characteristics of power transistors are successfully measured and the validity of the system was confirmed. The characteristics of power transistors enable detail analysis of static and dynamic behavior of devices implemented in power converters.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,477 Kバイト