IGBTダブルゲート構造の提案とアクティブ・ホール注入制御：数値解析による低損失化の原理確認

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15085,SPC15167

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Double gate IGBT with control of active hole injection: principle of low loss by numerical analyses

著者名: 原田 翔平(九州工業大学),附田 正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Shouhei Harada(Kyushu Institute of Technology),Masanori Tsukuda(City of Kitakyushu),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ＩＧＢＴ|低損失化|ダブルゲート構造|蓄積キャリア|ターンオフ損失|ホール注入効率|IGBT|low loss|double gate|stored carrier|turn-off loss|hole injection efficiency

要約(日本語): IGBTのコレクタ側にもMOSゲートを有するダブルゲートIGBT構造を提案し、ターンオフ損失の大幅な削減が可能であることをシミュレーションで確認した。従来のIGBTではN-ベース中に蓄積されたキャリアの排出のためターンオフ損失が大きくなるという問題があった。本研究ではNバッファ・シャント型の裏面MOS構造を提案し、ダイナミックにホール注入効率を変調させることで、キャリア排出を促進しターンオフ損失低減につなげた。

要約(英語): We proposed double gate IGBT with MOS gate at collector side and confirmed significant reduction of turn-off loss on TCAD simulation. Conventional IGBTs have a problem of large turn-off loss with stored carrier inside N-base. The proposed structure pre-reduces the stored carrier before turn-off by dynamic hole injection modulation with the collector side gate control.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,761 Kバイト