次世代半導体デバイスを採用したインバータユニットの課題と取組について
次世代半導体デバイスを採用したインバータユニットの課題と取組について
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EDD15087,SPC15169
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
発行日: 2015/10/29
タイトル(英語): Technical Approach for inverters with new generation power device
著者名: 森島 洋一(東芝),山野 伸明(東芝),斎藤 涼夫(東芝),餅川 宏(東芝),葛巻 淳彦(東芝),津田 純一(東芝),磯崎 健太(東芝ITコントロールシステム), (Toshiba Corporation)
著者名(英語): Yoichi Morishima(Toshiba Corporation),Nobuaki Yamano(Toshiba Corporation),Suzuo Saito(Toshiba Corporation),Hiroshi Mochikawa(Toshiba Corporation),Atsuhiko Kuzumaki (Toshiba Corporation),Junichi Tsuda(Toshiba Corporation),Kenta Isozaki(Toshiba IT & Control Systems Corporation), ( )
キーワード: パワーデバイス|インバータ|駆動回路|高効率化| 高周波化|EMIフィルター|Power Device|Inverter|Drive circuit|High Efficiency|High Speed Swiching |EMI Filter
要約(日本語): SiC等のWBGデバイスや新構造のシリコンデバイスを加えた次世代パワーデバイスへの応用面として電力変換器への適用において使用電圧等の面から棲み分けの検討を行った。また、次世代デバイスを搭載する変換器の実用化に関して、その技術課題を抽出した。特に変換器に要求される高効率技術、高周波化技術、EMI規制への対応技術への立案を実施し、その効果を確認するために200V用、400V用小中容量インバータを試作・実験を行った。
要約(英語): In this paper we discussed that new generation power device ( WBG or new structure Si power device) will be segregated based on application requirement and device evolution. And we confirmed the effects of technical approaches for inverters from high efficiency, high speed swiching , and EMI filter technology's standing points.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,445 Kバイト
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