SiC-MOSFET モデルを用いた双方向絶縁形DC/DCコンバータの損失解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15092,SPC15174

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): A Power-Loss Breakdown of a Bidirectional Isolated DC/DC Converter by Means of Using a Silicon Carbide MOSFET Model

著者名: 小杉 優介(東京工業大学),中村 悠太(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),宮崎 裕二(三菱電機)

著者名(英語): Yusuke Kosugi(Tokyo Institute of Technology),Yuta Nakamura(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corporation),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corporation),Yuji Miyazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|双方向絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ|損失解析|デバイスモデル|スイッチング損失|SiC-MOSFET|bidirectional isolated dc/dc converter|power-loss-breakdown|device model|switching loss

要約(日本語): 本稿ではSiC-MOSFET/SBDのデバイスモデルを用いて、双方向絶縁形DC/DCコンバータのデバイス損失を算出した。従来のデバイス損失計算は近似計算のため精度向上が困難であった。そこでSiC-MOSFET/SBDのデバイスモデルによる損失計算の精度向上を目指した。デバイスモデルは静特性、寄生容量特性の実測から構築した。上記モデルの同期整流動作、零電圧スイッチング動作における損失計算の妥当性を確認した後、双方向絶縁形DC/DCコンバータのデバイス損失を算出した。

要約(英語): In this paper, we calculate device losses of a bidirectional isolated DC/DC converter using a device simulation model. _x000D_ We construct a device simulation model based on the data of output characteristics and stray capacitance measurement. After confirming validity of loss calculation of synchronous rectifying and zero-voltage-switching, we present the device loss of a bidirectional isolated DC/DC converter._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,117 Kバイト