静電誘導型デバイスの現状
静電誘導型デバイスの現状
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EDD15097,SPC15179
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
発行日: 2015/10/29
タイトル(英語): Current Technologies of Static Induction Devices
著者名: 矢野 浩司(山梨大学),清水 尚博(日本ガイシ)
著者名(英語): Koji Yano(University of Yamanashi),Naohiro Shimizu(Nihon Insulators LTD)
キーワード: パワーデバイス|静電誘導デバイス|パルスパワー|SiC|power device|static induction device|pulsed power technology|SiC
要約(日本語): 静電誘導型デバイスの開発の現状を報告する。静電誘導サイリスタにおいてはチャネル構造の微細化等により、パルスパワー応用の3kV級の高速素子が実現されている。_x000D_ SiCデバイスとの性能も比較された。静電誘導トランジスタにおいては、スーパージャンクション型の超低損失素子が検討されている。
要約(英語): Current technologies of static induction devices will be reported. 3kV static induction thyristors having high-switching speed have been developed for pulse power application. Low-loss static induction transistors using super-junction technology have been also proposed.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 3,270 Kバイト
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