スーパージャンクションMOSFETにおけるスイッチングロスのチャージインバランス依存抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15098,SPC15180

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Suppression of switching loss dependence on charge imbalance of Superjunction MOSFET

著者名: 山下 浩明(東芝),浦 秀幸(東芝),小野 昇太郎(東芝),梨木 将登(東芝),三井 健司(東芝),斎藤 渉(東芝),小野寺 純(東芝),鉾本 吉孝(東芝)

著者名(英語): Hiroaki Yamashita(Toshiba Corporation),Hideyuki Ura(Toshiba Corporation),Syotaro Ono(Toshiba Corporation),Masato Nashiki(Toshiba Corporation),Kenji Mii(Toshiba Corporation),Wataru Saito(Toshiba Corporation),Jun Onodera(Toshiba Corporation),Yoshitaka Hokomoto(Toshiba Corporation)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|スーパージャンクション|スイッチング|シミュレーション|MOSFET|Superjunction|Switching|Simulation

要約(日本語): スーパージャンクション（SJ）MOSFETにおいて、MOS構造及びSJ構造のチャージバランスがスイッチング動作に与える影響とそのメカニズムを検証する。スイッチングロスはターンオフ状態のゲート近傍の電位分布に依存し、チャージバランス状態への感度がMOS構造により変化することを、抵抗負荷スイッチングのシミュレーション及び試作検証により確認し、チャージバランスがスイッチングへ与える影響を抑制する指針を示した。

要約(英語): We discuss switching behavior of superjunction (SJ)-MOSFETs in terms of interaction between MOS structure and charge imbalance (CIB) of SJ structure by simulation and experiment. These parameter change potential distribution near gate and affect switching behavior. We show robust MOS gate design and layout from the perspective of switching loss.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,437 Kバイト