スーパージャンクションMOSFET SEB破壊の温度依存性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15099,SPC15181

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Temperature Dependence of Single-Event Burnout for Super Junction MOSFET

著者名: 川口 雄介(東芝),加藤 俊亮(東芝),嶋田 英志(東芝),義平 隆之(東芝),小山 晃弘(東芝),小野 昇太郎(東芝),浦 秀幸(東芝),大藏 厳太郎(東芝),齋藤 渉(東芝)

著者名(英語): Yusuke Kawaguchi(Toshiba Corporation),Shunsuke Katoh(Toshiba Corporation),Eiji Shimada(Toshiba Corporation),Takayuki Yoshihira(Toshiba Corporation),Akihiro Oyama(Toshiba Corporation),Syotaro Ono(Toshiba Corporation),Hideyuki Ura(Toshiba Corporation),Gentaro Ookura(Toshiba Corporation),Wataru Saito(Toshiba Corporation)

キーワード: スーパージャンクション|パワーＭＯＳＦＥＴ|ＳＥＢ|Super Junction|Power MOSFET|SEB

要約(日本語): 実験によりSuper-Junction MOSFETにおけるSEB (Single-Event Burnout)耐量の温度依存性を取得し、そのメカニズムをデバイスシミュレーションを用いて考察した。

要約(英語): We experimentally obtained the dependence of SEB tolerance of Super-junction (SJ) MOSFET on temperature and studied the mechanism of the dependence of SEB failure rate on temperature by simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,402 Kバイト