高速スイッチングIGBTの シリコンウエハ母材中 残留微量元素の電気特性への影響とその物理解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15100,SPC15182

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Study about the influences on Electrical and Physical Analysis by residual ultra-micro impurities in Si Wafer (Mother) Material for High Switching Speed IGBT

著者名: 高野 和豊(メルコセミコンダクタエンジニアリング),清井 明(三菱電機),湊 忠玄(三菱電機)

著者名(英語): Kazutoyo Takano(MELCO Semiconductor Engineering Corporation),Akira Kiyoi(Mitsubishi Electric Corporation),Tadaharu Minato(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 高速スイッチングＩＧＢＴ|フォトルミネッセンス|連続通電|電子線照射|ライフタイムコントロール|High speed IGBT|Photoluminescence|DC current stress|Electron Beam irradiation|Lifetime Control

要約(日本語): 電子線照射によるキャリア・ライフタイム(τ)制御を施した高速スイッチングIGBTの電気的特性が，ウエハ中に残留する微量の炭素と酸素の影響を受ける事を，物理解析（PL評価）により明らかにし，FZ，MCZ等ウエハの製法の違いを考慮したτ制御プロセスも併せて提案する。

要約(英語): Through Photo-Luminescence spectrum analysis, we investigated the relationship between electrical characteristics and residual Carbon &/or Oxygen in silicon mother materials, and discuss the suitable wafer process for Floating Zone or Magnetic Czochralski wafer for the high switching speed IGBT with the carrier Lifetime Control process using Electron Beam irradiation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,516 Kバイト