オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS（TED MOS）の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15102,SPC15184

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Development of trench-etched double-diffused SiC MOS (TED MOS) for overcoming tradeoff between RonA and Qgd

著者名: 手賀 直樹(日立製作所),吉元 広行(日立製作所),久本 大(日立製作所),渡辺 直樹(日立製作所),清水 悠佳(日立製作所),佐藤 慎太郎(日立製作所),毛利 友紀(日立製作所),石垣 隆士(日立製作所),松村 三江子(日立製作所),小西 くみこ(日立製作所),小林 慶亮(日立製作所),秋山 悟(日立製作所),藤田 隆誠(日立製作所),島 明生(日立製作所),嶋本 泰洋(日立製作所)

著者名(英語): Naoki Tega(Hitachi, Ltd.),Hiroyuki Yoshimoto(Hitachi, Ltd.),Digh Hisamoto(Hitachi, Ltd.),Naoki Watanabe(Hitachi, Ltd.),Haruka Shimizu(Hitachi, Ltd.),Shintaroh Sato(Hitachi, Ltd.),Yuki Mori(Hitachi, Ltd.),Takashi Ishigaki(Hitachi, Ltd.),Mieko Matsumura(Hitachi, Ltd.),Kumiko Konishi(Hitachi, Ltd.),Keisuke Kobayashi(Hitachi, Ltd.),Satoru Akiyama(Hitachi, Ltd.),Ryusei Fujita(Hitachi, Ltd.),Akio Shima(Hitachi, Ltd.),Yasuhiro Shimamoto(Hitachi, Ltd.)

キーワード: 炭化珪素|トレンチ|オン抵抗|帰還容量|移動度|ゲート電荷量|SiC|DMOS|Trench|Mobility|RonA|Qgd

要約(日本語): 導通損失とスイッチング損失低減に向けて、新たにトレンチ型DMOS（TED MOS）を開発した。従来のDMOSと比較して、TED MOSは高移動度のトレンチ面をチャネルとして有し、さらに幅広いチャネル幅を有する。その結果、従来のDMOSに比べてオン抵抗を47％下げることに成功した。また、ゲートがPボディ上にのみ形成されるため、帰還容量が小さく、ゲート・ドレイン電荷量も35％下げることに成功した。

要約(英語): To improve both conduction loss and switching loss, trench-etched double-diffused MOS (TED MOS) is proposed and fabricated. TED MOS can provide both high channel mobility and wide channel width to decrease on-resistance. Moreover, TED MOS also achieves low gate-to-drain charge because of its unique structure.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,704 Kバイト