SiC-BGSITカスコード接続

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15103,SPC15185

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): SiC-BGSIT Cascode Configuration

著者名: 山本 真幸(山梨大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),矢野 浩司(山梨大学)

著者名(英語): Masayuki Yamamoto(University of Yamanashi),Yasunori Tanaka(AIST),Tsutomu Yatsuo(AIST),Koji Yano(University of Yamanashi)

キーワード: 炭化珪素|静電誘導トランジスタ|カスコード接続|Silicon carbide|Static induction transistor|Cascode configuration

要約(日本語): 本研究では、低耐圧Si-MOSFETとノーマリーオン型の高耐圧SiC-BGSIT(埋め込み型静電誘導トランジスタ)をDBC基板上でカスコード接続させたバリガペアを試作し、そのデバイス特性を調べた。結果、オン抵抗68mΩ(ゲート電圧10V)、耐圧1240V、立ち上がり時間55ns、降下時間20nsとなり、また、SiC-MOSFETと比較して優れた伝達特性を得た。

要約(英語): We investigate a cascode configuration of a normally-on SiC-JFET/SIT and Si-MOSFET, which apparently works as a MOS gate power switching. It gives on resistance Ron=68mΩ, breakdown voltage VBR=1240V, rise time tr=55ns, and fall time tf=20ns.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,506 Kバイト