電流コラプスフリーを実現する新ドレインホール注入型GaN-GITの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15104,SPC15186

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): Development of Current-collapse-free GaN-GIT by utilizing Hole Injection from Drain

著者名: 金子 佐一郎(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),黒田 正行(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),柳原 学(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),井腰 文智(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),大来 英之(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),引田 正洋(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),上本 康裕(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),高橋 理(パナソニック セミコンダクターソリューションズ),森田 竜夫(パナ

著者名(英語): Saichiro Kaneko(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Masayuki Kuroda(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Manabu Yanagihara(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Ayanori Ikoshi(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Hideyuki Okita(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Masahiro Hikita(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Yasuhiro Uemoto(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Satoru Takahashi(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Tatsuo Morita(Panasonic Corporation Automotive & Industrial Systems Company),Kenichiro Tanaka(Panasonic Corporation Automotive & Industrial Systems Company),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation Automotive & Industrial Systems Company)

キーワード: 電流コラプス|ホール注入|ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＦＥＴ|電子|正孔|Current collapse|Hole-injection|AlGaN/GaN FET|electron|hole

要約(日本語): 従来のAlGaN/GaN FETで大きな課題となっていた電流コラプスを解決する新技術を開発した。電流コラプスは、電子がゲート‐ドレイン間にトラップされることで起こるが、新技術ではドレイン近傍にp型領域を配置してそこからホールを注入する。注入されたホールはトラップされた電子と再結合し、電子をトラップから解放する。この新技術を実際にGITに採用し850Vまで完全なコラプスフリー特性を得ることが出来た。

要約(英語): Current collapse at high drain voltage in a GaN-based transistor is successfully suppressed by the introduction of p-GaN region which is placed beside the drain of a Gate Injection Transistor (GIT).

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,644 Kバイト