広い温度範囲で動作するワンチップGaNパワー集積回路技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15105,SPC15187

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/10/29

タイトル(英語): GaN-based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature

著者名: 中島 昭(産業技術総合研究所),萱沼 怜(東京工業大学),筒井 一生(東京工業大学),久保田 俊介(東京工業大学),角嶋 邦之(東京工業大学),若林 整(東京工業大学),岩井 洋(東京工業大学),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Akira Nakajima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Rei Kayanuma(Tokyo Institute of Technology),Kazuo Tsutsui(Tokyo Institute of Technology),Shunsuke Kubota(Tokyo Institute of Technology),Kuniyuki Kakushima(Tokyo Institute of Technology),Hitoshi Wakabayashi(Tokyo Institute of Technology),Hiroshi Iwai(Tokyo Institute of Technology),Shin-ichi Nishizawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromichi Ohashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 窒化ガリウム|パワー集積回路|分極接合|Ｐチャネル|Ｎチャネル|GaN|Power IC|polarization junction|P-channel|N-channel

要約(日本語): GaN分極接合プラットフォームを用いることで、2DHGおよび2DEGを同時に形成することが可能となる。2DHGと2DEGのシート抵抗の温特(6-460K)を測定し、温度低下とともに単調減少することが分かった。2DHGと2DEGを用いて作製した低耐圧PチャネルおよびNチャネルトランジスタは、100～300Kの温度範囲においてワンチップ動作が確認できた。また、分極スーパージャンクション技術を用いて耐圧1.2kV以上のトランジスタおよびダイオードのワンチップ化にも成功した。

要約(英語): GaN-based polarization junction platforms have 2DHG and 2DEG. Sheet resistance measurements in a wide temperature range (6-460 K) revealed that 2DHG and 2DEG conductivities were monotonically enhanced with the temperature reduction. On the platform, monolithic operations of GaN-based devices including high-voltage n-channel (n-ch) transistors, n-ch Schottky diodes, low-voltage n-ch transistors and p-channel transistors has been demonstrated. Breakdown voltages of the high-voltage devices were more than 1.2 kV using polarization superjunction technology.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,086 Kバイト