フォトン・リサイクリングによる優位性を備えた縦型GaNバイポーラ・デバイスに関する考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/28

タイトル(英語): A Discussion on Vertical GaN Bipolar Devices Gaining Competitive Advantage from Photon Recycling

著者名: 望月 和浩(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuhiro Mochizuki(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: フォトン・リサイクリング|窒化ガリウム|バイポーラ・デバイス|ｐｎダイオード|絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ|バイポーラ接合トランジスタ|photon recycling|GaN|bipolar device|p-n diode|insulated gate bipolar transistor|bipolar junction transistor

要約(日本語): パッケージ放熱限界のため、フォトン・リサイクリングが縦型GaN pnダイオードに有効に働く余地は少ない。しかし、縦型GaN npnバイポーラ接合トランジスタの場合、フォトン・リサイクリングによって、4H-SiCトレンチ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに対する優位性を備え得ることが、数値解析の結果、明らかとなった。

要約(英語): Due to a package power dissipation limit, there was no room for photon recycling (PR) to work well on vertical GaN p-n diodes; however, numerical analysis showed that vertical GaN npn bipolar junction transistors could gain competitive advantage from PR toward 4H-SiC trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 639 Kバイト