1.6ｋＶ耐圧を有するＧａＮ基板上大電流トレンチ型ジャンクションバリアダイオードの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/28

タイトル(英語): A high forward current operation in a trench hybrid-junction diode (THD) on GaN substrate with a breakdown voltage of 1.6 kV

著者名: 梶谷 亮(パナソニック),半田 浩之(パナソニック),宇治田 信二(パナソニック),柴田 大輔(パナソニック),小川 雅弘(パナソニック),田中 健一郎(パナソニック),石田 秀俊(パナソニック),田村 聡之(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),上田 哲三(パナソニック)

著者名(英語): Ryo Kajitani(Panasonic Corporation),Hiroyuki Handa(Panasonic Corporation),Shinji Ujita(Panasonic Corporation),Daisuke Shibata(Panasonic Corporation),Masahiro Ogawa(Panasonic Corporation),Kenichiro Tanaka(Panasonic Corporation),Hidetoshi Ishida(Panasonic Corporation),Satoshi Tamura(Panasonic Corporation),Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|ショットキーバリアダイオード|ＰＮジャンクションダイオード|ＪＢＳダイオード|ＭＰＳダイオード|トレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（ＴＨＤ）|Gallium Nitride|Schottky barrier diode|PN junction diode|JBS (Junction barrier Schottky) Diode|MPS (Merged PiN Schottky) Diode|THD(Trench hybrid-jucntion diode)

要約(日本語): 低立ち上がり電圧・大電流・高耐圧のGaN THD (THD: Trench hybrid-Junction Diode）を新規に開発したので報告する．GaN THDの立ち上がり電圧はGaN SBD (SBD: Shottky barrier diode）と同等の0.8 Vであり，かつ順方向電流密度は印加電圧10 Vにおいて9.0kA / cm2と，GaN SBDの電流密度4.4 kA / cm2に対し約2倍の大電流を示した．GaN THDの逆方向耐圧は1.6 kVであり，報告されている縦型GaN SBDの中で最も高い値を示した．

要約(英語): A GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) on a GaN substrate with a high forward current density and low turn-on voltage is presented. The turn-on voltages in the GaN THD and GaN Schottky barrier diode (SBD) are 0.8 V. The forward current density in the GaN THD of 9.0 kA / cm2 at 10 V is almost twice as that in the GaN SBD of 4.4 kA / cm2 at 10 V. A breakdown voltages of the GaN SBD and GaN THD are 1.2 and 1.6 kV.

原稿種別: 日本語

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