50A大電流・790V耐圧縦型GaNショットキーバリアダイオードの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/28

タイトル(英語): Vertical GaN Schottky barrier diode on free-standing GaN substrate with 50 A forward current and 790 V breakdown voltage

著者名: 田中 成明(豊田合成),長谷川 一也(豊田合成),安西 孝太(豊田合成),村上 倫章(豊田合成),岡 徹(豊田合成)

著者名(英語): Nariaki Tanaka(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Kazuya Hasegawa(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Kota Yasunishi(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Noriaki Murakami(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Tohru Oka(TOYODA GOSEI Co., Ltd.)

キーワード: ＧａＮ|自立ＧａＮ基板|ショットキーバリアダイオード|GaN|free-standing GaN substrate|Schottky barrier diode

要約(日本語): ショットキー電極サイズの異なる自立GaN基板上縦型GaNショットキーバリアダイオードを作製した。ショットキー電極3 × 3 mm2サイズのSBDにおいて50A大電流および790V耐圧という特性が得られた。また、電気特性のショットキー電極サイズ依存性についても考察した。

要約(英語): This paper reports on vertical GaN Schottky barrier diodes (SBDs) fabricated on a free-standing GaN substrate with different sizes of Schottky electrode. The fabricated SBDs with 3 × 3 mm2 Schottky electrodes exhibited both a forward current of 50A and a breakdown voltage of 790V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 693 Kバイト