SiCパワーデバイスの高信頼ターミネーション技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/28

タイトル(英語): Termination Technology of SiC Devices for High Reliability

著者名: 小野瀬 秀勝(株式会社　日立製作所　),松島 宏之(株式会社　日立製作所),沖野 泰之(株式会社　日立製作所),望月 和浩(株式会社　日立製作所),山田 廉一(株式会社　日立製作所),平尾 高志(株式会社　日立製作所),森 睦宏(株式会社　日立製作所)

著者名(英語): Hidekatsu Onose(Hitachi, ltd.),Hiroyuki Matsushima(Hitachi, ltd.),Hiroyuki Okino(Hitachi, ltd.),Kazuhiro Mpchizuki(Hitachi, ltd.),Renichi Yamada(Hitachi, ltd.),Takashi Hirao(Hitadhi, Ltd.),Mutsuhiro Mori(Hitachi, ltd.)

キーワード: ＳｉＣ|ターミネーション|高耐圧|信頼性

要約(日本語): 高耐圧デバイスの信頼性向上のため、DC電圧ストレスの影響を解析した。空乏層容量測定により，SiC/SiO2界面における正電荷がアバランシェ電圧変動の要因であることを明らかにした。新しいターミネーション構造を提案し、1000時間のバイアス試験後もリーク電流が変動しないことを確認した

要約(英語): DC bias stressing immunity of SiC power device was analyzed for high reliability. Measuring Depletion-layer Capacitance (MDC) technique revealed that positive charge density increase at SiO2/SiC interface of termination area caused an avalanche voltage degradation. The new termination structure was proposed and a stable avalanche voltage after 1000 hr bias stressing was successfully demonstrated.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 692 Kバイト