高耐圧ディプレッション型フィールドプレートＧａ２Ｏ３　ＭＯＳＦＥＴ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/28

タイトル(英語): High-Breakdown Depletion-Mode Ga2O3 MOSFETs with a Field Plate

著者名: ワン マンホイ(情報通信研究機構),佐々木 公平(タムラ製作所),倉又 朗人(タムラ製作所),山腰 茂伸(タムラ製作所),東脇 正高(情報通信研究機構)

著者名(英語): Man Hoi Wong(National Institute of Information and Communications Technology),Kohei Sasaki(Tamura Corporation),Akito Kuramata(Tamura Corporation),Shigenobu Yamakoshi(Tamura Corporation),Masataka Higashiwaki(National Institute of Information and Communications Technology)

キーワード: 酸化ガリウム|ＭＯＳＦＥＴ|フィールドプレート|ディプレッション型|耐圧|gallium oxide|MOSFET|field plate|depletion mode|breakdown voltage

要約(日本語): ディプレッション型フィールドプレートGa2O3 MOSFETの試作、動作実証に初めて成功した。デバイス特性は、オフ状態デバイス耐圧 755 V、ドレイン電流オン/オフ比9桁以上、パルス動作時にもドレイン電流コラプスフリー、300℃までの高温安定動作などに代表されるように、非常に優れたものであった。

要約(英語): Depletion-mode field-plated Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors were demonstrated for the first time. The mesa-free devices with a gate-connected field plate exhibited a large off-state breakdown voltage of 755 V, a high drain current on/off ratio of over nine orders of magnitude, dispersion-free output characteristics, and stable high temperature operation against 300℃ thermal stress.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 687 Kバイト