75nm InP-HEMTを用いたサブミリ波帯MMICとその大容量通信への応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/29

タイトル(英語): Millimeter-Wave/Sub-Millimeter-Wave Monolithic ICs in 75-nm InP HEMT Technology for Short-Range Multi-10-Gbps Wireless Communications

著者名: 川野 陽一(富士通),松村 宏志(富士通),芝 祥一(富士通),佐藤 優(富士通),鈴木 俊秀(富士通),高橋 剛(富士通),牧山 剛三(富士通),中舎 安宏(富士通),岩井 大介(富士通),原 直紀(富士通)

著者名(英語): Yoichi Kawano(Fujitsu Ltd.),Hiroshi Matsumura(Fujitsu Ltd.),Shoichi Shiba(Fujitsu Ltd.),Masaru Sato(Fujitsu Ltd.),Toshihide Suzuki(Fujitsu Ltd.),Tsuyoshi Takahashi(Fujitsu Ltd.),Kozo Makiyama(Fujitsu Ltd.),Yasuhiro Nakasha(Fujitsu Ltd.),Taisuke Iwai(Fujitsu Ltd.),Naoki Hara(Fujitsu Ltd.)

キーワード: ミリ波|サブミリ波|テラヘルツ|フリップチップ実装|InP|HEMT|millimeter wave|flip-chip

要約(日本語): InP HEMTを用いたテラヘルツ帯増幅器MMICに関してこれまで得られた成果のまとめを発表する。テラヘルツ帯で増幅動作を実現するためには、正確なディエンベッド技術、トランジスタから利得ブースト技術の２つがカギとなる。ディエンベッドに関しては、MMICと同じウェハに校正用パタンを作りこむオンウェハTRL校正を採用して高い設計精度を実現した。また、ゲート接地多段回路によって240GHzから320GHzと極めて広い周波数範囲で利得20dB以上を得ることができた。本発表では、オンオフ変調方式の無線通信に向けて、増幅器と検波器を集積した受信チップとその評価結果に関しても述べる。

要約(英語): IN THIS PAPER, 20 GBIT/S, CARRIER FREQUENCY OF A 280 GHZ TRANSMITTER MMIC AND A RECEIVER MODULE USING A FLIP-CHIP ASSEMBLY TECHNIQUE ARE DESCRIBED.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 841 Kバイト