GaN系FETデバイスシミュレーションの進展;電流コラプス、サイドゲート効果、光応答、アバランシェ耐性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/29

タイトル(英語): Advancement in Device Simulation of GaN Based FETs; Current Collapse, Sidegating Effects, Optical Response and Avalanche Breakdown

著者名: 大野 泰夫(レーザーシステム),李 根三(日本シノプシス)

著者名(英語): Yasuo Ohno(Laser Systems Inc.),Keunsam Lee(Nihon Synopsys G.K)

キーワード: ＧａＮデバイス|ＴＣＡＤ|深い準位|電流コラプス|サイドゲート効果|アバランシェ破壊|GaN device|TCAD|deep level|current collapse|sidegating effect|avalanche breakdown

要約(日本語): 演算ビット数の拡大でワイドギャップ半導体でも深い準位の解析が可能となり、またGaAsで起きていたサイドゲート効果がTCADの予想通りGaNでも観測されたため、従来のデバイス物理の枠組みを外すことなくGaNデバイスの解析が可能である見通しが得られている。既存シミュレータを用いたGaN系FETでの電流コラプス、サイドゲート効果、光応答、アバランシェ破壊などの解析状況を紹介する。

要約(英語): Due to wide bit size computing, numerical analysis of GaN devices became possible. In addition, side-gating effects was observed in GaN devices. These facts confirmed that the GaN device performance can be analyzed within the frame work of conventional device physics. In this talk, analyses of current collapse, sidegating effects, optical response and avalanche breakdown using commercial device simulator will be presented.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,191 Kバイト