GaN HEMTの高温通電劣化への窒化膜電気伝導の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2016/03/29

タイトル(英語): High-temperature GaN HEMT Degradation Affected by Silicon Nitride Film Conductivity

著者名: 広瀬 真由美(東芝),松下 景一(東芝),高木 一考(東芝)

著者名(英語): Mayumi Hirose(Toshiba Corporation),Keiichi Matsushita(Toshiba Corporation),Kazutaka Takagi(Toshiba Corporation)

キーワード: ＧａＮ　|ＨＥＭＴ|シミュレーション|窒化膜|界面準位|信頼性|GaN |HEMT|simulation|silicon nitride|interface states|reliability

要約(日本語): GaN HEMTの高温通電における特性劣化を、AlGaN層の表面保護膜として形成する窒化膜の電気伝導の観点から解析した。解析には2次元数値解析モデルを用いた。この解析から窒化膜の電気伝導がAlGaN/窒化膜界面準位の電子捕獲を促進し、劣化を加速することが分かった。この結果の妥当性は電気伝導率の異なる窒化膜を形成したGaN HEMTの250℃での通電試験により確認された。

要約(英語): GaN HEMT degradation induced by high-temperature DC stress was investigated from the perspective of electrical conductivity of silicon nitride (SiN) film deposited on an AlGaN layer as a passivation film. A two-dimensional numerical device model was used in the investigation. It was found that SiN film conductivity accelerates electron capture of AlGaN/SiN interface states and enhances GaN HEMT drain current degradation. This result was confirmed by 250℃-DC stress testing of GaN HEMTs passivated by SiN films of different conductivity.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 777 Kバイト