高ノイズ耐量と小型化を両立する新自己遮蔽構造の600V-HVIC

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16046,SPC16133

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): A 600V High Voltage IC Technique with a New Self-shielding Structure for High Noise Tolerance and Die Shrink

著者名: 山路 将晴(富士電機),上西 顕寛(富士電機),田中 貴英(富士電機),澄田 仁志(富士電機)

著者名(英語): Masaharu Yamaji(Fuji Electric Co., Ltd.),Akihiro Jonishi(Fuji Electric Co., Ltd.),Takahide Tanaka(Fuji Electric Co., Ltd.),Hitoshi Sumida(Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: 自己遮蔽構造|６００Ｖ－ＨＶＩＣ|ゲートドライバ|負電圧サージ|高ノイズ耐量|self-shielding structure|600V High Voltage IC|gate driver|negative voltage surge|high noise tolerance

要約(日本語): 600VクラスのHVICにおいて、高ノイズ耐量化とチップサイズ小型化にも寄与するレベルシフトデバイスの横型HVNMOSとHVJTを一体化させた新自己遮蔽方式を考案した。また、ハイサイド回路領域との分離には周囲を取り囲むP-分離層を形成して、ホール電流注入の抑制を図った。このP-分離層を配置した新自己遮蔽方式を適用することで、従来のHVICに対し、3倍以上の高ノイズ(負電圧サージ)耐量化と約20%のチップサイズの小型化に成功した。

要約(英語): A new 600V high-voltage IC (HVIC) featuring a high noise tolerance is proposed. The purpose of the proposed HVIC is to achieve the high noise tolerance without an increase of the fabrication cost. By applying the new self-shielding structure in the HVIC, more than 3x higher noise tolerance (-95V@500ns) and 20% die shrink can be obtained compared with a conventional HVIC, without additional fabrication cost.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,856 Kバイト