高耐圧ＧａＮ－ＨＥＭＴのアバランシェ耐量とそのメカニズム

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16049,SPC16136

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): UIS Withstanding Capability and Mechanism of High Voltage GaN-HEMTs

著者名: 仲 敏行(東芝),齋藤 渉(東芝)

著者名(英語): Toshiyuki Naka(Toshiba Corporation Strage & Electronic Devices Solutions Company),Wataru Saito(Toshiba Corporation Strage & Electronic Devices Solutions Company)

キーワード: ＧａＮ－ＨＥＭＴ|ｐ－ＧａＮゲート構造|アバランシェ耐量|GaN-HEMT|p-type GaN gate structure|unclamped inductive switching withstanding capability

要約(日本語): 本論文は、高耐圧ＧａＮ－ＨＥＭＴのアバランシェ耐量がオフ時ゲート電圧と基板の接続箇所に依存する事について報告する。ｐ－ＧａＮゲート構造を持つＧａＮ－ＨＥＭＴのアバランシェ試験の結果から、アバランシェ耐量とゲート及び基板の電気的ポテンシャルの関係性を得た。これらの結果から、ＧａＮ－ＨＥＭＴのアバランシェメカニズムが明らかになった。

要約(英語): This paper reports that the unclamped inductive switching (UIS) withstanding capability of high voltage GaN-HEMTs depends on the gate voltage at off-state and the substrate connection.The relation between the UIS withstanding capability and the electrical potential at gate and substrate is discussed by the results of the UIS test for GaN-HEMTs with p-type gate structure.Conclusively, the mechanism of UIS for the GaN-HEMT was clarified.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,095 Kバイト