薄層SOI Power CMOSFETsのホットキャリア効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16055,SPC16142

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Hot carrier effects of thin-film SOI CMOS Power MOSFETs

著者名: 池野 晃太郎(九州工業大学),松本 聡(九州工業大学)

著者名(英語): Kotaro Ikeno(Kyushu Institute of Technology),Satoshi Matsumoto(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ＳＯＩ|ホットキャリア効果|ストレス試験|寄生バイポーラ効果|ＰＭＯＳ|少数キャリア注入|SOI|hot carrier effect|stress test| parasitic bipolar effect|PMOS|minority carrier injection

要約(日本語): 薄層SOIパワーCMOSFETsは微細化により素子性能の高性能化が図られている。本研究では、NチャネルとPチャネル薄層SOIパワーMOSFETの定電電界におけるホットキャリア効果を比較し、Nチャネルにおいて寄生バイポーラ効果に起因してホットキャリア効果が促進されることを明らかにした。また、低ゲート電圧時にPチャネルSOIパワーMOSFETにおいて少数キャリアである電子の注入が起こっていることを明らかにした。

要約(英語): In this paper, we compare the hot carrier effect of the n-channel thin-film SOI power MOSFET with that of p-channel one under the constant drain electric field. We clarify difference of the hot carrier effect between n-channel and p-channel power MOSFETs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,242 Kバイト