ＧａＮ－ＨＥＭＴ用５０ＭＨｚＳｉゲートドライバーＩＣ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16056,SPC16143

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): A 50MHz Si Gate Driver IC for GaN-HEMT

著者名: 赤木 貴文(九州工業大学),安部 征哉(九州工業大学),松本 聡(九州工業大学)

著者名(英語): Takafumi Akagi(Kyushu Institute of Technology),Seiya Abe(Kyushu Institute of Technology),Satoshi Matsumoto(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ＧａＮ|ゲートドライバー|高周波スイッチング|Ｐｏｗｅｒ－ＳｏＣ|３次元パワーＳｏＣ|ＰＯＬ|GaN|Gate Driver|High Frequency Switching|Power-SoC|3D Power-SoC|POL

要約(日本語): 本論文では0.35μm　CMOSプロセスを用いて50MHzで動作するGaN用のゲートドライバーICを試作し、評価した結果について述べる。ゲートドライバーICは50MHzのサイン波入力で動作した。また、試作した同期整流降圧コンバータは30MHzで動作した。シミュレーションの結果、3DパワーSoC(Supply on Chip)の採用により、30MHzで効率85%を達成できる見通しを得た。

要約(英語): This paper describes electrical characteristics of a silicon based gate driver IC for GaN power devices. The gate driver IC can operate at 50MHz. The prototype synchronous buck converter can operate at 30 MHz and the simulation results showed that the efficiency of 85% can be obtained at 30MHz.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,471 Kバイト