スイッチング波形を利用したパワーMOSFETの入力容量測定とモデル化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16059,SPC16146

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Input Capacitance Measurement and Modeling of Power MOSFETs from Switching Waveforms

著者名: 大石 一輝(京都大学),新谷 道広(京都大学),廣本 正之(京都大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Kazuki Oishi(Kyoto University),Michihiro Shintani(Kyoto University),Masayuki Hiromoto(Kyoto University),Takashi Sato(Kyoto University)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|回路シミュレーション|寄生容量|容量測定|power MOSFET|circuit simulation|parasitic capacitance|capacitance measurement

要約(日本語): パワーMOSFETの入力容量をスイッチング波形から算出しモデル化する手法を提案する．従来より広く行われている小信号測定による容量と異なり，提案手法ではゲートに大振幅のパルスを与え，その波形からゲート電荷を計算し容量を求める．市販パワーMOSFETを用いた検証により，提案手法による容量モデルは精度よく動作波形を模擬し，回路のスイッチング損失やタイミングの見積もり精度を改善できることを示す．

要約(英語): We propose a novel methodology for determining input capacitance of power MOSFETs through switching waveforms. On the basis of charge transfer at the gate electrode, the large-swing input capacitance is calculated. The capacitance model obtained by the proposed method simulates switching behaviors of a device more accurately than the conventional one obtained through the small signal measurements.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,220 Kバイト