３．３ｋＶハイブリッドＳｉＣモジュールの宇宙線耐量と破壊メカニズム

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16060,SPC16147

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Cosmic Ray Failure Mechanism and Critical Factors for 3.3kV Hybrid SiC Modules

著者名: 新田 哲也(東芝 ),崎山 陽子(東芝 ),小谷 来太(東芝 ),井上 智樹(東芝 ),尾原 亮一(東芝 ),佐野 賢也(東芝 ),山口 正一(東芝 )

著者名(英語): Tetsuya Nitta(Toshiba Corporation),Yoko Sakiyama(Toshiba Corporation),Raita Kotani(Toshiba Corporation),Tomoki Inoue(Toshiba Corporation),Ryoichi Ohara(Toshiba Corporation),Kenya Sano(Toshiba Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|宇宙線|中性子線|ＳＥＢ|ＳｉＣ|IGBT|cosmic ray|neutron ray|SEB|SiC

要約(日本語): 3.3kV SiCハイブリッドモジュールの中性子線耐量解析結果を報告する。3.3kV IGBTの中性子線耐量は、、ダイナミックアバランシェ電流による自己発熱が支配的であり、低耐圧のIGBTとは異なり寄生バイポーラ動作の影響がほとんど無く、ある閾値以上の電界を積分した値が耐量の指標となることを示す。また3.3kV SiC-SBDの中性子線耐量は、同耐圧クラスのSiデバイスと同等である評価結果を報告する。

要約(英語): The cosmic ray failure mechanism for a 3.3kV IGBT has been investigated. _x000D_ It could be clarified that the dynamic avalanche current dominates the catastrophic self-heating, and the impact of the parasitic bipolar action is negligible for a 3.3kV IGBT. The cosmic ray robustness of a 3.3kV SiC-SBD was also investigated._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,601 Kバイト