物理解析に基づく簡易シミュレーションによるSiパワーデバイスのSEB現象に関する考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16061,SPC16148

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Simple simulation approach for the first trigger step of SEB (Single Event Burn-out) based upon physical analysis for Si high voltage bipolar device

著者名: 吉浦 康博(三菱電機),湊 忠玄(三菱電機),高倉 健次(メルコセミコンダクタエンジニアリング),瓜生 勝美(三菱電機インフォメーションネットワーク)

著者名(英語): Yasuhiro Yoshiura(Mitsubishi Electric Corporation),Tadaharu Minato(Mitsubishi Electric Corporation),Kenji Takakura(MELCO Semiconductor Engineering Corporation),Katsumi Uryu(Mitsubishi Electric Information Network)

キーワード: 宇宙線|破壊|シミュレーション|中性子|物理解析|パワーデバイス|SEB|Simulation|Neutron|LTDS|IGBT|Diode

要約(日本語): 通説通り，SEBが素子のPN接合近辺を起点とする事を，中性子照_x000D_ 射実験で確かめた。_x000D_ その破壊起点は，PN接合近傍，即ち，インパクト・イオン化_x000D_ (I/I)ピーク位置であった。_x000D_ 「SEBは電界集中でのI/Iによって引き起こされる現象」であれ_x000D_ ば，SEBのシミュレーションは，可視光での励起で，簡便に模擬_x000D_ できる筈である。_x000D_ 入射光の角度と位置条件依存性が，実験とシミュレーションで整_x000D_ 合した。_x000D_ 一連の結果から，電界集中が，一次要因である事が確認できた。

要約(英語): The destruction point of the chip is precisely identified as around the main pn junction. It well agrees with the Impact Ionization peak enhanced by an electric field crowding. A simple device simulation approach, which uses a visible light approximation instead of a high energy radiation ion, is effective to trace the SEB phenomenon.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,630 Kバイト