多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討　-スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16063,SPC16150

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): A Study on Switching Characteristics of Low Inductance Power Module with Multi-layered Ceramic Substrate -An effect of Switching Surge Voltage Suppression with Snubber Capacitor Directly Attached on a Module Substrate-

著者名: 福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shuhei Fukunaga(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: 多層セラミック基板|ハーフブリッジモジュール|ＳｉＣ|ダブルパルス試験|Multi-layered Ceramic Substrate|Half-Bridge Module|SiC|Double Pulse Testing

要約(日本語): SiCパワーデバイスは従来のSiパワーデバイスと比較して、高速スイッチングによるアプリケーション回路の小型化が期待される一方で、高di/dtによって生じるサージ電圧がパワーデバイスを破壊する可能性が危惧されている。本研究では、低インダクタンス化によるスイッチングサージの低減を目的とした多層セラミック基板を使用してSiCハーフブリッジモジュールを製作し、このモジュールにスナバコンデンサを取り付けることでスイッチング動作時に生じるサージ電圧を抑制する。

要約(英語): SiC power device is expected for downsizing application circuits because of high-frequency switching, but high di/dt induces large surge voltage._x000D_ This paper developed low-inductance half-bridge module by using multi-layered ceramic substrate and high voltage multi-layer ceramic capacitor to reduce surge voltage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,779 Kバイト