GaN-HFET適用非接触給電ZVSコンバータのアクティブ整流回路におけるサージ電圧抑制法とその実機検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16064,SPC16151

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Surge Voltage Suppressing Methodology and its Experimental Verification for Active Rectifier in GaN HFET-based ZVS Resonant DC-DC Converter for Inductive Power Transfer Applications

著者名: 森田 栄太郎(神戸大学),三島 智和(神戸大学)

著者名(英語): Eitaro Morita(Kobe University),Tomokazu Mishima(Kobe University)

キーワード: 電磁誘導方式非接触給電|高周波共振形インバータ|ブリッジレスアクティブ整流回路（ＢＬＲＥＣ）|２次側パルス幅変調（ＰＷＭ）制御|ＧａＮパワーデバイス|ソフトスイッチング|inductive power transfer(IPT) applications|high frequency resonant inverter(HF-R INV)|bridgeless active rectifier(BLREC)|secondary-side pulse-width-modulation|GaN power d

要約(日本語): 筆者らはこれまでに，ワンチップにてノーマリーオフを実現した高耐圧600V系の窒化ガリウム-ヘテロ接合電界効果トランジスタ(GaN-HFET)に着目して， 2次側ブリッジレスアクティブ整流回路(BLREC)を有するIPTシステム用ZVS共振形コンバータに適用して，2次側パルス幅変調による広範囲な優れた電力制御特性を明らかにしている。_x000D_ 本稿では，2次側BLRECのアクティブスイッチのサージ電圧抑制に関して，試作器を基に検証したので，その結果を報告する。

要約(英語): This paper presents a novel prototype of a secondary-side Bridgeless Active Rectifier (BLREC)-applied soft-switching resonant dc-dc power converter with high breakdown-voltage Gallium Nitride Heterojunction Field Effect Transistor (GaN-HFET) for inductive power transfer (IPT) systems. The surge voltage suppressing methodology of the GaN-HFET zero voltage soft-switching resonant converter for IPTs is discussed from a practical point of view.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,026 Kバイト