ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性のシミュレーション検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16065,SPC16152

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Simulation-Based Discussion on Switching Behavior of an SiC-MOSFET, Taking Into Account a Gate-Drive Circuit Model

著者名: 中村 悠太(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),中山 靖(三菱電機)

著者名(英語): Yuta Nakamura(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Yasushi Nakayama(Mitsubish

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモデル|シミュレーション|ゲートドライブ|SiC-MOSFET model|Simulation|Gate Drive

要約(日本語): SiC-MOSFETデバイスモデルとゲートドライブモデルを用いて，SiC-MOSFETのスイッチング動作について検討した

要約(英語): This paper provides a comprehensive discussion on transient behavior of a 1.2-kV, 36-A SiC-MOSFET. The authors develop a gate drive circuit model using Si-MOSFET device models. The gate circuit model brings significant improvements on the simulated waveforms

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,242 Kバイト