SiC-MOSFET直列接続時におけるターンオフ時の電圧分担アンバランスとその改善法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16068,SPC16155

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Discussion on Voltage Sharing Unbalance under Series Connection of SiC-MOSFET and Its Suppression Method

著者名: 神宮 克哉(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Katsuya Shingu(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|直列接続|ディレイライン|スイッチング試験|SiC-MOSFET|Series connection|Delay line|Switching experiment

要約(日本語): 近年，SiCパワーデバイスの研究開発が盛んに行われ，1700 V耐圧までのSiC-MOSFETが市販されるようになってきた。高電圧回路に市販デバイスを用いる手法として直列接続が考えられるが，パワーデバイスの直列接続では寄生パラメータの相違による電圧分担不平衡が課題となる。本稿ではパワーデバイス直列接続時における電圧不平衡の発生原因と電圧分担不平衡を零とするための手法について解析と実験による検証を行ったので報告する。

要約(英語): Recently, research and development of SiC power devices have been actively, 1700V SiC-MOSFET has become commercially available. The parameters of SiC-MOSFET are depended on each power devices, and those affect the voltage sharing in series connection of the MOSFET. This paper discussed relationship between the parameters and voltage sharing in series connection of SiC -MOSFET

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,178 Kバイト