窒化ガリウム（GaN）FETを使用したワイヤレス給電用　E級送信機

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16069,SPC16156

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): GaN FET Class E HF band Transmitter for Wireless Energy Transfer

著者名: 市原 文夫(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Fumio Ichihara(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 窒化ガリウムＦＥＴ|Ｅ級アンプ|送信機|ワイヤレス給電|短波帯|磁気共振|GaN FET|Class E amplifier|transmitter|wireless|HF band|magnetic resonance

要約(日本語): 高周波特性の優れた窒化ガリウム（GaN）FETを出力素子に採し、短波帯で動作するワイヤレス給電用送信機を開発した。本研究では、GaN-FETによる高効率E級アンプを用いた短波帯磁気共振ワイヤレス伝送方式をベースに、ドライブ波形の最適化回路と保護回路を付加することで、長い伝送距離と、高効率・高信頼性を実現た。_x000D_

要約(英語): Gallium nitride (GaN) FET with the excellent high-frequency characteristics is adopted to a shortwave band wireless power transmitter._x000D_ In this study, a high- efficiency Class E amplifier with GaN-FET and a shortwave band magnetic resonance wireless transmission method are used with newly developed optimization circuit for the drive waveform, addition with new protection circuit. Longer transmission distance with high efficiency and high reliability were achieved._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,218 Kバイト