高信頼性・低特性オン抵抗100VデュアルRESURF LDMOSトランジスタ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16071,SPC16158

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): High Reliability 100V Dual RESURF LDMOS Transistor with Low Specific On-Resistance

著者名: 松田 順一(群馬大学),小島 潤也(群馬大学),築地 伸和(群馬大学),神山 雅貴(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)

著者名(英語): Jun-ichi Matsuda(Gunma University),Jun-ya Kojima(Gunma University),Nobukazu Tsukiji(Gunma University),Masataka Kamiyama(Gunma University),Haruo Kobayashi(Gunma University)

キーワード: 横方向二重拡散ＭＯＳ|信頼性|ホットキャリア|静電破壊|電流増大|カーク効果|LDMOS|reliability|hot carrier|ESD|current expansion|Kirk effect

要約(日本語): 100V動作車載用途向けの高信頼性・低特性オン抵抗デュアルRESURF LDMOSトランジスタを提案し、特性をシミュレーションで確認した。このトランジスタはKirk効果によるドレイン電流増大とインパクトイオン化を十分に抑制できる。ブレークダウン箇所はバルクにあり、高ESD耐性を確保できる。特性オン抵抗(RonA=150mΩmm2)対ブレークダウン電圧(BVDS=129V）特性は最先端レベルである。

要約(英語): This paper proposes a high reliability dual RESURF LDMOS transistor with low specific on-resistance for 100V automotive applications. Simulation verified that the transistor adequately suppresses drain current expansion due to Kirk effect and impact ionization. The breakdown location is in the bulk, leading to good ESD performance. RonA(150mΩmm2) vs. BVDS(=129V) performance is top-notch level.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,840 Kバイト