1200V系RC-IGBTの高速動作化へ向けたトレンチダイオード構造の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16072,SPC16159

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): High Switching Speed Trench Diode for 1200V RC-IGBT

著者名: 下條 亮平(東芝),小倉 常雄(東芝),三須 伸一郎(東芝),松岡 裕磨(東芝),安原 紀夫(東芝),中村 和敏(東芝)

著者名(英語): Ryohei Gejo(Toshiba Corporation),Tsuneo Ogura(Toshiba Corporation),Shinichiro Misu(Toshiba Corporation),Yuma Matsuoka(Toshiba Corporation),Norio Yasuhara(Toshiba Corporation),Kazutoshi Nakamura(Toshiba Corporation)

キーワード: ＲＣ－ＩＧＢＴ|ダイオード|ショットキー|高速化|発振|リカバリ耐量|RC-IGBT|Diode|Schottky|High switching speed|Voltage ringing|Dynamic Ruggedness

要約(日本語): 1200V系RC-IGBTの高速動作化へ向けたトレンチダイオード構造を検討した。RC-IGBTに集積化が容易なトレンチ構造のダイオード部の表面、裏面へショットキー領域を部分的に設けることでダイオードのリカバリ損失を低減した。ダイオードの低注入化により問題とされる低電流発振はIGBT部裏面からの正孔注入によって抑制し、トレンチ底部でアバランシェさせることで十分なリカバリ耐量を得た。

要約(英語): A novel trench diode for 1200V RC-IGBTs is proposed. The reverse recovery loss is reduced by fabricating parital Schottky region on the diode area. The hole injection from the IGBT backside suppresses the voltage ringing and high dynamic ruggedness is obtained by fixing impact ionization point to the trench bottom.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,214 Kバイト