平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16073,SPC16160

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Dual laser beam technique to evaluate bulk lifetime of free carriers in silicon wafers

著者名: 金田 寛(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Hiroshi Kaneta(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーデバイス|シリコンウェーハ|評価|キャリアライフタイム|レーザー|屈折|power device|silicon wafer|evaluation|carrier lifetime|laser|refraction

要約(日本語): 波長1064 nm のＹＡＧレーザビームをシリコンウェーハに定常照射することによってウェーハ内部に自由キャリアを励起し，定常濃度分布を作る．このウェーハに波長1550 nmの赤外レーザビームを透過させ，自由キャリアによる赤外ビームの屈折挙動の観測することによって，自由キャリアの濃度分布を計量し，キャリアの拡散長と寿命を導く．ビーム屈折の理論と実験例，およびこの原理による自由キャリアの評価例を示す．

要約(英語): A steady-state distribution of free carriers is generated in the silicon wafer by irradiating the 1064-nm YAG laser beam. By measuring the behavior of refraction of another infrared laser beam caused by the generated free carriers, we derive the distribution of the generated free carriers, to finally obtain the diffusion length and lifetime of the free carriers.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,370 Kバイト