IGBTのアクティブトレンチ配置とdv/dtサージ・ターンオン損失の関係についての検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16074,SPC16161

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Effect of Active Trench Layout on dV/dt Surge and Turn-on Switching Loss for CSTBTTM

著者名: 上馬場 龍(三菱電機),小西 和也(三菱電機),梅山 真理子(三菱電機),高橋 徹雄(三菱電機),楢崎 敦司(三菱電機),湊 忠玄(三菱電機),多留谷 政良(三菱電機)

著者名(英語): Ryu Kamibaba(Mitsubishi Electric Corporation),Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric Corporation),Mariko Umeyama(Mitsubishi Electric Corporation),Tetsuo Takahashi(Mitsubishi Electric Corporation),Atsushi Narazaki(Mitsubishi Electric Corporation),Tadaharu Mina

キーワード: ＩＧＢＴ|アクティブセル|配列最適化|高性能化|ｄｖ／ｄｔサージ|ターンオフ損失|IGBT|Active cell|layout optimization|better performance|dv/dt surge|turn-on switching loss

要約(日本語): これまでIGBTの性能向上は，三つ巴のトレードオフ（VCEsat, switching loss, Esc）の改善を目指していたが，次世代IGBTには，サージ電圧低減などの一段上の使いやすさが求められている。1200Vの産業用IGBTにはアクティブセルとダミーセルがあるが，この配列構造がdv/dtサージやターンオン損失にどのように影響するか調査し，改善構造を見出した結果を報告する

要約(英語): In addition to extending the triangular trade-off (VCEsat, switching loss, Esc), upgrading the “usability” is needed for the next generation IGBT. In this paper, we introduce several cell layout concepts featuring on the number and the arrangement of active trenches, and show the effect on dV/dt surge and turn-on switching loss.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,352 Kバイト