FWD構造・配置を最適化した第2世代600V級RC-IGBTの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16075,SPC16162

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Development of the second-generation 600V RC-IGBT with optimized FWD cell design and configuration

著者名: 中村 浩之(メルコセミコンダクタエンジニアリング),吉田 拓弥(メルコセミコンダクタエンジニアリング),高橋 徹雄(三菱電機),多留谷 政良(三菱電機),湊 忠玄(三菱電機)

著者名(英語): Hiroyuki Nakamura(Melco Semiconductor Engineering Corporation),Takuya Yoshida(Melco Semiconductor Engineering Corporation),Tetsuo Takahashi(Mitsubishi Electric Corporation),Masayoshi Tarutani(Mitsubishi Electric Corporation),Tadaharu Minato(Mitsubishi Ele

キーワード: ＲＣ－ＩＧＢＴ|ＩＧＢＴ|ＦＷＤ|構造最適化|高性能化|新製品|RC-IGBT|IGBT|FWD|Cell design optimization|high performance|New product

要約(日本語): RC-IGBT(Reverse Conducting IGBT)はFWDを混載する素子で，パワーモジュールの小型化・低価格化が期待できる。しかし，IGBT/FWD性能の両立や，FWDの逆回復特性の最適化は難しい課題である。我々はFWD領域比率と構造，FWD/IGBTレイアウトなどについて検討し，Err-VF特性を従来比で49%改善した，高性能第2世代RC-IGBT製品を実現した。

要約(英語): A Reverse Conducting IGBT (RC-IGBT) has the potential to reduce a size and cost of the power module, while it is difficult to achieve well-balanced performance between IGBT and FWD, especially reverse recovery characteristics of FWD. In this study, we investigate the FWD structures deeply and propose the high-performance RC-IGBT.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,108 Kバイト