新しいゲート構造を有する低損失・低ノイズ サイドゲートHiGTの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD16076,SPC16163

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/11/14

タイトル(英語): Side Gate HiGT with Low dv/dt Noise and Low Loss

著者名: 白石 正樹(日立製作所),古川 智康(日立製作所),渡邉 聡(日立パワーデバイス),新井 大夏(日立パワーデバイス),森 睦宏(日立製作所)

著者名(英語): Masaki Shiraishi(Hitachi.Ltd),Tomoyasu Furukawa(Hitachi.Ltd),So Watanabe(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Taiga Arai(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Mutsuhiro Mori(Hitachi.Ltd)

キーワード: ＩＧＢＴ|帰還容量|サイドゲート|IGBT|Miller capacitance|side gate

要約(日本語): 従来のプレーナゲートやトレンチゲートに変わる、新しいゲート構造を有するサイドゲートHiGT（High-conductivity IGBT)を開発しました。サイドゲートHiGTは、サイドウオール構造をゲートに適用することで、従来のトレンチゲートIGBTに対して帰還容量を75%低減、スイッチング損失を34%低減でき、低損失と低ノイズ特性を実現しました。

要約(英語): We have developed a novel side gate HiGT (High-conductivity IGBT) with low Miller capcitance (Cres). The proposed side gate HiGT has 75% smaller Cres than the conventional trench gate IGBT and 34% smaller Eon + Err at the same diode’s recovery dv/dt.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,687 Kバイト