酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/09

タイトル(英語): Observation of carrier confinement at a (Al,Ga)2O3/Ga2O3 heterojunction interface

著者名: 大島 孝仁(佐賀大学),加藤 勇次(佐賀大学),河野 直士(佐賀大学),倉又 朗人(タムラ製作所/ノベルクリスタルテクノロジー),山腰 茂伸(タムラ製作所/ノベルクリスタルテクノロジー),藤田 静雄(京都大学),大石 敏之(佐賀大学),嘉数 誠(佐賀大学)

著者名(英語): Takayoshi Oshima(Saga University),Yuji Kato(Saga University),Naoto Kawano(Saga University),Akito Kuramata(Tamura Corporation/Novel Crystal Technology Inc.),Shigenobu Yamakoshi(Tamura Corporation/Novel Crystal Technology Inc.),Shizuo Fujita(Kyoto Univeristy),Toshiyuki Oishi(Saga University),Makoto Kasu(Saga University)

キーワード: 酸化ガリウム|ヘテロ接合|変調ドープ|分子線エピタキシー|Ga2O3|heterojunction|modulation doping|MBE

要約(日本語): β-Ga2O3系ヘテロ接合における変調ドープ構造を作製するために，β-Ga2O3基板上に直接β (AlxGa1 x)2O3混晶薄膜を作製した．この直接成長では，成長前基板上の吸着物に含まれるSiが，膜中に取り込まれ活性なドナーとなり自然と変調ドープ層が作製される．電極を形成して，容量電圧特性からキャリアの深さ依存性を評価したところ，界面におけるキャリアの閉じ込めを確認できた．この結果は，β-Ga2O3系ヘテロ接合トランジスタの登場を予期させるものである．

要約(英語): A β (AlxGa1 x)2O3:Si/Ga2O3 modulation doped structure was fabricated by direct epitaxial growth of β (AlxGa1 x)2O3 on a β-Ga2O3 substrate, in which Si doping into the layer was realized by the incorporation of Si from the adsorbed contaminants on the pre-growth substrate surface. At the heterojunction interface, we observed confined carriers whose sheet carrier density of on the order of 1012 cm-2. This successful demonstration of modulation doping will encourage the notion β-Ga2O3-based heterojunction field effect transistors.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 918 Kバイト