GaN基板と電子デバイス用GaNエピウエハの最新状況

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/09

タイトル(英語): Recent topics of GaN substrates and GaN epitaxial wafers for electrical devices

著者名: 乙木 洋平(サイオクス),田中 丈士(サイオクス),吉田 丈洋(サイオクス),柴田 真佐知(サイオクス),堀切 文正(サイオクス),北村 寿朗(サイオクス),藤生 真二郎(サイオクス),藤倉 序章(サイオクス)

著者名(英語): Otoki Yohei(SCIOCS),Tanaka Takeshi(SCIOCS),Yoshida Takehiro(SCIOCS),Shibata Masatomo(SCIOCS),Horikiri Fumimasa(SCIOCS),Kitamura Toshiro(SCIOCS),Fujio Shinjiro(SCIOCS),Fujikura Hajime(SCIOCS)

キーワード: ＧａＮ|基板|ＭＯＣＶＤ|エピタキシャル成長|電子デバイス|デバイス特性|GaN|substrate|MOCVD|epitaxial growth|electric devices|device performnce

要約(日本語): VAS法によるGaN基板はLD,LEDなど光デバイス用に実用化している。Geドープによる低抵抗化、タイリング法による大口径化、など高品質化・量産技術向上がすすすんでいる。電子デバイス用では半絶縁性結晶が実用化。そのエピ成長はGaAs系にくらべ、成長条件の許容幅が狭く、高精度の制御、さらに結晶中のトラップとなる点欠陥を知り制御することが重要。最近、GaN基板の使用により、ショットキー特性、線形性、耐圧などの向上が報告されている。

要約(英語): The GaN substrates by VAS method have been in practical stage for optical devices. An improvement of their quality and mass production technology keep on progressing. Semi-insulating substrates are used for lateral electronic devices. Its epitaxial growth needs precise control. Recently, improvements of Schottky characteristics, linearity, breakdown voltage have been reported by using GaN substrate.

原稿種別: 日本語

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